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东芝推出150V N沟道功率MOSFET——TPH9R00CQ5
发布时间:2023-03-30 22:06:56 · 赵法彬

2023年3月30日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

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TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。


该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装。


此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。


东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外,新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。


东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线,以降低功率损耗、提高电源效率,并助力改善设备效率。


源自:东芝

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